仕事内容
【ポジション】
研究開発（ケミカル装置・プロセス開発）
［直接雇用］東証一部上場の総合技術メーカー
【担当業務】
世界でトップクラスのシェアを誇る総合真空装置メーカーにおいて、ケミカル装置のプロセス開発に関わる研究開発業務をお任せします。
* 半導体製造装置の前処理
* CVD・ALD (化学的気相成長反応を用いた薄膜形成方法）装置およびプロセス開発
* (自然酸化膜除去用）ガスエッチング装置とプロセス開発業務
* これらの装置・プロセス開発における課題現象を化学的知見・経験に基づき原因究明・解決し、ハードウェアの設計指針を決定し、事業部に移管する業務
* 事業部および海外研究所メンバーと密に連携・情報共有し、開発リードタイム短縮を実現する。
* 必要に応じて顧客との技術ディスカッションを行う。
※紹介会社：株式会社ヒューガン
アピールポイント
* 海外売上60％以上
* 世界50拠点に展開
* 5期連続増収、利益率10％以上
【エンジニアにとってやりがいのある環境】
* 開発費年間300億円以上
* なんでも挑戦させてくれる社風です。会議の場で、社歴関係なく、自分の意見を言える、そして聞いてくれる環境がございます。開発についても、若手の案で採用されることも多くあります。行動にのみ評価する企業です。
* 1年に1回面談を利用し実際に事業部異動している人もいらっしゃいます。
必要な経験・スキル
【必須要件】
* 大学レベルの物理、化学の基礎知識
* 第一種自動車運転免許
【歓迎要件】
* 真空装置(CVD,ALD)の取り扱い経験
* TOEIC(R)テスト(R)テスト600点以上
* 真空装置メーカーもしくは装置を取り扱った経験がある方
* 国際学会での発表、論文投稿経験
勤務時間・曜日
8:30～17:05 （所定労働時間：7時間45分）
休憩時間：50分（12:00～12:50）
* 残業：平均20～30h/月程度
* 時差出勤制度あり
休日・休暇
週休2日制
有給休暇10日～20日
休日日数122日
土曜（企業カレンダーにより年数回出勤あり）、日曜、祝日、GW、夏季休暇、年末年始、有給休暇（入社日から付与）、慶弔休暇 他
アクセス
－
待遇・福利厚生
【雇用形態】正社員
【試用期間】3ヶ月
【予定年収】450万円～800万円(残業手当：有)
【モデル年収】27歳485万円、30歳550万円、35歳675万円（残業月平均30時間の場合）
※給与詳細は、経験・年齢・能力を考慮した上で決定します。
* 月給制
* 昇給：年1回（7月）
* 賞与：年2回（6月、12月）：過去実績3ヶ月
【補足】
* 通勤手当：交通費全額支給
* 寮社宅：独身寮あり（詳細は当社規定に準ずる）
* 社会保険：社会保険完備
* 厚生年金基金
* 退職金制度
* 階層別研修、職務別研修
* 自己啓発奨励金制度、外国語教育講座
* 中途入社研修（会社や製品に関する知識を習得する研修）
* 社内講座、300近い通信教育プログラム
* 財形貯蓄制度
* 社員食堂
* 昼食補助
* 各種契約施設利用制度
* 社員持株会制度
* 制服あり
社会保険
－
試用期間の有無
－
その他
採用予定人数：未定
履歴書の有無：－
勤務形態：－
平均所定労働時間：－
固定残業代の有無：－
有料職業紹介に該当：－